|
Äڵ弼¹ÌÄÜ¡¤Á¦¿¥Á¦ÄÚ, VDS 3300V±Þ SiC ¸ð½ºÆê °øµ¿ °³¹ß ³ª¼
Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâ ÆÐŰ¡(OSAT) Àü¹®±â¾÷ Á¦¿¥Á¦ÄÚ(´ëÇ¥ ÃÖÀ±È)°¡ ÆÕ¸®½º ¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷ Äڵ弼¹ÌÄÜ(´ëÇ¥ Àåä±Ô)°ú ÃÖ´ë Á¤°ÝÀü¾Ð 3300V±Þ SiC MOSFET(½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀÌµå ¸ð½ºÆê)À» °øµ¿ °³¹ßÇÑ´Ù°í 14ÀÏ ¹àÇû´Ù.
À̹ø Çù·ÂÀ» ÅëÇØ Äڵ弼¹ÌÄÜÀº °³¹ß ¸ðµâÀÇ È¸·Î ¼³°è¿Í °ËÁõÀ» Àü´ãÇϰí, Á¦¿¥Á¦ÄÚ´Â ¿þÀÌÆÛ Å×½ºÆ®¿Í ÆÐŰ¡À» ¸Ã±â·Î Çß´Ù.
À̹ø¿¡ °³¹ßÇÏ´Â ¼ÒÀÚ´Â SiC ¿þÀÌÆÛ ±â¹ÝÀÇ Ç÷¡³Ê ½ºÆ®¶óÀÌÇÁ(Planar Stripe) ¼¿ ±¸Á¶¸¦ Àû¿ë, °í¿Â¡¤°íÀü·ù ȯ°æ¿¡¼µµ µ¿ÀÛ ¾ÈÁ¤¼ºÀ» È®º¸ÇÏ´Â °ÍÀÌ Æ¯Â¡ÀÌ´Ù.
Äڵ弼¹ÌÄÜÀº ¡âÆÄ¿îµå¸® ÇÇó °ËÅä ¡âPDK °ËÁõ ¡â¼³°è ¸®½ºÅ© °ËÁõ(Design Risk Verify) ¡âLVS(·¹À̾ƿô ´ë ȸ·Îµµ) ¹× Å×ÀÌÇÁ¾Æ¿ô(Tape-out)¿¡ À̸£´Â Àü(îï) ¼³°è °øÁ¤À» ¸Ã´Â´Ù. Á¦¿¥Á¦ÄÚ´Â ¿þÀÌÆÛ Å×½ºÆ®¿Í ÆÐŰÁö Á¶¸³ ¹× ǰÁú°ü¸®(PKG QC)¸¦ Àü´ãÇØ ¾ç»ê ¼öÀ² È®º¸¿¡ ÁÖ·ÂÇÒ ¹æÄ§ÀÌ´Ù.
2019³â ¼³¸³µÈ Äڵ弼¹ÌÄÜÀº SKÇÏÀ̴нº µî¿¡¼ 20³â ÀÌ»ó ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è¸¦ Àü´ãÇÏ¸ç ¼öÀ² °³¼± ¼º°ú¸¦ ½×¾Æ¿Â Àü¹® Àηµé·Î ±¸¼ºµÅ ÀÖ´Ù. ¼³°è ¼ºñ½º(PMIC¡¤SRAM ÄÄÆÄÀÏ·¯ µî)¸¦ ½ÃÀÛÀ¸·Î 2023³âºÎÅÍ ¸ð½ºÆê, IGBT(Àý¿¬ °ÔÀÌÆ® ¾ç±Ø¼º Æ®·£Áö½ºÅÍ) µî °íÀü¾Ð ¿µ¿ªÀ¸·Î »ç¾÷À» È®ÀåÇØ ¿Ô´Ù. À̹ø 3300V±Þ ÃÊ°í³»¾Ð SiC ¼ÒÀÚ °³¹ßÀ» ÅëÇØ AI µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ¿ë UPS(¹«Á¤Àü Àü¿ø°ø±ÞÀåÄ¡)¡¤HVDC(°í¾Ð Á÷·ù¼ÛÀü) Àü¿ø ½Ã½ºÅÛ ¹× Àü±âÂ÷, ESS(¿¡³ÊÁöÀúÀåÀåÄ¡) ÀιöÅÍ µî °íÀü¾Ð Àü·Âº¯È¯ ½ÃÀå ÁøÃâÀ» º»°ÝÈÇÑ´Ù.
Á¦¿¥Á¦ÄÚ ÃøÀº "¼³°èºÎÅÍ °ËÁõ, ÆÐŰ¡, ǰÁú°ü¸®¿¡ À̸£´Â ¿ø½ºÅé Çù·Â ü°è¸¦ À̾ °Í"À̶ó¸ç "À̹ø °øµ¿°³¹ß·Î ±¹³» °íÀü¾Ð SiC Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °ø±Þ¸Á ±¸Ãà¿¡ ¼Óµµ¸¦ ³»°í ½ÃÀå º¯È¿¡ ¼±Á¦ ´ëÀÀÇϰڴÙ"°í ¸»Çß´Ù.
Á¦¿¥Á¦ÄÚ´Â ÀΰøÁö´É µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ¿¡ ÇÊ¿äÇÑ ¼ÒÀç ¹× ÈİøÁ¤ ÀÚµ¿È Àåºñ µîÀ» ÁÖ·Â »ç¾÷À¸·Î ÇÑ´Ù. ÀÌ È¸»ç Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ÆÐŰ¡ ¼ºñ½º ¸ÅÃâ 80%°¡ ±Û·Î¹ú Å鯼¾î ¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷À¸·ÎºÎÅÍ Ã¢ÃâµÈ´Ù.
ÀÌÀ¯¹Ì ±âÀÚ youme@mt.co.kr
Copyright ¨Ï ¸Ó´ÏÅõµ¥ÀÌ & mt.co.kr. ¹«´Ü ÀüÀç ¹× Àç¹èÆ÷, AIÇнÀ ÀÌ¿ë ±ÝÁö.
|
|